一般说明PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。特征VDS=60V，ID=5ARDS（开）<38mΩ@VGS=10V提供3针...

一般说明PW2307采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极电荷和栅电压低至4.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中特征VDS=-20V ID=-7ARDS（开）<20mΩ...

一般说明PW2305采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极电荷和栅电压低至4.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-20V ID=-4.9ARDS（开）<3...

产品概述                PW2303 是支持高电压输入的同步降压电源管理芯片，在4.5~30V的宽输入电压范围内可实现 3A 的连续电流输出。...

PW2301A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2301A是一颗P沟道的MOS管A1SHB是PW2301A芯片，低导通内阻：RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=4.5V...