供应信息
2819
2021-01-14
代理PW2324芯片,N沟道增强型MOSFET
一般说明 PW2324采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。特征 l VDS=100V,ID=...
2832
2021-01-14
供应PW2308芯片,N沟道增强型MOSFET
一般说明PW2308采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。特征VDS=60V,ID=5ARDS(开)<38mΩ@VGS=10V提供3针...
2809
2021-01-14
代理PW2337芯片,P沟道增强型MOSFET
一般说明PW2337采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-100V,ID=-0.9ARDS(开)<650mΩ@V...
2938
2021-01-14
代理PW2309芯片,P沟道增强型MOSFET
一般说明 PW2309采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。特征 VDS=-60V,ID=-3ARDS(开)<180mΩ@VG...
3005
2021-01-14
代理PW2319芯片,P沟道增强型MOSFET
一般说明 PW2319采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。特征 VDS=-40V,ID=-5ARDS(开)<7...