一般说明PW2202是硅N沟增强型vdmosfet，采用自对准平面技术，降低了传导损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于系统的各种功率开关电路中特征l  VDS=200V，ID=...

描述            JD6621是高度集成的USB供电（PD）控制器，支持USB PD 3.0 ，该USB PD 3.0 具有针对USB Type-C...

一般说明PW2324采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。特征l   VDS=100V，ID=3....

一般说明PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。特征VDS=60V，ID=5ARDS（开）<38mΩ@VGS=10V提供3针...

一般说明PW2337采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-100V，ID=-0.9ARDS（开）<650mΩ@V...