PW3230 芯片介绍
型号： PW3230
单节锂电池保护芯片
摘要：
PW3230 是一款高集成度的单节锂离子/聚合物电池保护解决方案，集成了先进的功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。采用超小型SOT23-5封装，仅需一个外部元件，非常适合空间有限的电池组应用。该芯片具备全面的保护功能，包括过充、过放、过流和负载短路保护等，确保电池安全高效使用。
PW3230 关键特性
1、 高集成度 ：集成先进的功率 MOSFET，等效RDS(ON)为45mΩ
2、 超小型封装 ： SOT23-5封装，节省PCB空间
3、 全面保护功能：
（1）过充保护
（2）过放保护
（3）过流保护（两步检测）
（4）负载短路保护
（5）过温保护
（6）充电器检测功能
（7）OV电池充电功能
4、 高精度电压检测：确保安全高效的充电
5、 低待机电流 ：典型值 2.8μA（工作模式），1.5μA（掉电模式）
6、 RoHS合规：无铅产品
PW3230 应用场景
1、单节锂离子电池组
2、单节锂聚合物电池组
3、数字移动电话
4、 其他需要长电池寿命的锂离子 /聚合物电池供电设备
PW3230 典型应用电路
1、 电路设计说明：
（ 1 ） 充电器连接 ：充电器正极连接到VM引脚，负极连接到GND引脚
（ 2 ） 电池连接 ：电池正极连接到VDD引脚，负极连接到GND引脚
（ 3 ） 负载连接 ：负载连接在VM和GND之间
2、 PW3230 引脚描述
|
引脚号 |
引脚名称 |
功能描述 |
|
1 |
VT |
测试引脚 |
|
2 |
GND |
接地端，连接电池负极 |
|
3 |
VDD |
电源供应端，连接电池正极 |
|
4,5 |
VM |
充电器负极连接端，内部 FET开关将此端连接到GND |
PW3230 绝对最大额定值
|
参数 |
符号 |
值 |
单位 |
|
VDD输入引脚电压 |
VINVDD |
-0.3至6 |
V |
|
VM输入引脚电压 |
VVM |
-6至10 |
V |
|
工作环境温度 |
Topr |
-40至85 |
℃ |
|
最大结温 |
Tj |
125 |
℃ |
|
存储温度 |
Tstg |
-55至150 |
℃ |
|
引脚温度 |
TL |
300 |
℃ |
|
功耗 |
PD |
400 |
mW |
PW3230 电气特性
(除非特别注明，典型值的测试条件为：TA=25℃)
|
参数 |
符号 |
测试条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
过充检测电压 |
VCU |
- |
4.25 |
4.30 |
4.35 |
V |
|
过充释放电压 |
VCL |
- |
4.05 |
4.10 |
4.15 |
V |
|
过放检测电压 |
VDL |
- |
2.30 |
2.40 |
2.50 |
V |
|
过放释放电压 |
VDR |
- |
2.90 |
3.00 |
3.10 |
V |
|
充电器检测电压 |
VCHA |
- |
-0.12 |
- |
- |
V |
|
过放电流 1检测 |
IOV1 |
Vdd=3.6V |
3.2 |
4.0 |
- |
A |
|
负载短路检测 |
ISHORT |
Vdd=3.6V |
12.5 |
- |
- |
A |
|
正常工作电流 |
IOPE |
Vdd=3.6V, VM=0V |
- |
2.80 |
- |
μA |
|
掉电模式电流 |
IPDN |
Vdd=2V, VM浮动 |
- |
1.50 |
2.2 |
μA |
|
等效 FET导通电阻 |
RDS |
Vdd=3.6V, IvM=1A |
- |
45 |
- |
mΩ |
|
过温保护阈值 |
TSHD |
- |
+125 |
+140 |
- |
℃ |
|
过温恢复温度 |
TSHD- |
- |
-100 |
-115 |
- |
℃ |
|
过充电压检测延迟时间 |
TCU |
VDD=3.6V∼4.4V |
- |
135 |
- |
ms |
|
过放电压检测延迟时间 |
TDLV |
VDD=3.6V∼2.0V |
- |
28 |
35 |
ms |
|
过放电流 1检测延迟时间 |
TIOV1 |
VDD=3.6V |
- |
8.0 |
- |
ms |
|
负载短路检测延迟时间 |
TSHORT |
VDD=3.6V |
- |
100 |
300 |
μs |