代理PW2307低内阻20V7A的PMOS管
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PW2307采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW2307是一颗 P沟道的低内阻场效应 MOS管。
PW2307具有比 PW2305更高的 ID电流值,内阻比 PW2305和 PW2302A偏低
PW2307基本参数: VDS = -20V , ID =-7A, RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=-4.5V
PW2307 采用 SOT23-3L环保材质的封装形式。
PW2307采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW2307是一颗 P沟道的低内阻场效应 MOS管。
PW2307具有比 PW2305更高的 ID电流值,内阻比 PW2305和 PW2302A偏低
PW2307基本参数: VDS = -20V , ID =-7A, RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=-4.5V
PW2307 采用 SOT23-3L环保材质的封装形式。
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