PW2307采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW2307是一颗 P沟道的低内阻场效应 MOS管。

PW2307具有比 PW2305更高的 ID电流值，内阻比 PW2305和 PW2302A偏低

PW2307基本参数： VDS = -20V ， ID =-7A， RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=-4.5V

PW2307 采用 SOT23-3L环保材质的封装形式。